Memoria RAM Argentina

Memoria RAM Argentina

ReRAM se llama a la memoria super resistente y velóz que está en desarrollo por el CONICET en la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA).

A fines de febrero, la NASA debió interrumpir temporalmente los experimentos del rover Curiosity, el vehículo no tripulado que llegó a Marte en agosto pasado después de un viaje de 580 millones de kilómetros, debido a una falla en la memoria de una de sus dos computadoras. La situación grafica la dificultad de operar estos sistemas de almacenamiento de información en condiciones extremas u hostiles, por ejemplo, cuando se exponen a dosis altas de radiación o cambios bruscos de temperatura.

Para afrontar esos escenarios, en Argentina, quince investigadores de cuatro instituciones públicas están formando parte de un proyecto para desarrollar memorias con soportes más resistentes que los chips convencionales de silicio que se usan en computadoras, pendrives y celulares.

Memosat-300x225El proyecto, denominado MeMOSat, consiste en el desarrollo de una tecnología emergente para realizar memorias electrónicas permanentes y rápidas, llamada ReRAM. “Estos dispositivos son sumamente veloces, miniaturizables y capaces de soportar ambientes adversos”, destacó a la Agencia CyTA el líder de la inciativa, el doctor Pablo Levy, investigador del CONICET en la Comisión Nacional de Energía Atómica (CNEA).

Las memorias, todavía en fase de prototipo, están fabricadas con óxidos y metales en capas que llegan a tener un espesor de 100 nanómetros (la diez millonésima parte de un metro).

El objetivo es que los chips retengan información sin consumo de energía en condiciones hostiles, de modo que ameriten su uso como memorias altamente confiables en, por ejemplo, aplicaciones satelitales, vehículos espaciales, reactores nucleares y fosas volcánicas.

Hasta ahora, el dispositivo más pequeño fabricado por el equipo de científicos mide aproximadamente lo mismo que la impronta de la punta de un alfiler al apoyarse sobre papel. “Pretendemos reducir sus dimensiones laterales aún más, con el objetivo de empaquetar varias memorias en un tamaño aún más reducido”, señaló Levy.

MeMOSat ha recibido los Premios DuPont-CONICET (2010) e INNOVAR (2012). Y los científicos que lo integran, varios de ellos del CONICET, trabajan en la CNEA, el INTI, la Facultad de Ciencias Exactas y Naturales (UBA) y la Universidad Nacional de San Martín.

Arreglo de memorias tipo ReRAM microfabricadas utilizando óxido de Titanio en las facilidades de Sala Limpia de INTI y CAC-CNEA por el doctorando Néstor Ghenzi, en el marco de MeMOSat. Las intersecciones entre contactos metálicos definen cada bit de memoria, en este caso se observan 100 bits crecidos sobre un sustrato cuadrado de tres centímetros de lado.